Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Cathode commune
Nombre d'éléments par circuit
2
Type de fixation
Through Hole
Type de boîtier
A-247
Technologie de diode
Silicon Junction
Nombre de broches
3
Chute minimale de tension directe
1.05V
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Température maximale d'utilisation
+175 °C
Longueur
16.26mm
Largeur
5.3mm
Hauteur
21.08mm
Dimensions
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes de redressement, 10 à 30 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
Prix sur demande
Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
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30
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Brand
onsemiConfiguration de diode
Cathode commune
Nombre d'éléments par circuit
2
Type de fixation
Through Hole
Type de boîtier
A-247
Technologie de diode
Silicon Junction
Nombre de broches
3
Chute minimale de tension directe
1.05V
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Température maximale d'utilisation
+175 °C
Longueur
16.26mm
Largeur
5.3mm
Hauteur
21.08mm
Dimensions
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes de redressement, 10 à 30 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.


