Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType du produit
Jonction au silicium
Configuration de diode
Single
Courant direct maximum If
4A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
DO-41
Nombre de broche
2
Tension directe maximale Vf
890mV
Temps de recouvrement inverse crête trr
35ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
150V
Température de fonctionnement minimum
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
125A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
9.5mm
Hauteur
9.5mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 133,41
€ 0,267 Each (In a Bag of 500) (hors TVA)
500
€ 133,41
€ 0,267 Each (In a Bag of 500) (hors TVA)
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500
| Quantité | Prix unitaire | Par Sac |
|---|---|---|
| 500 - 500 | € 0,267 | € 133,41 |
| 1000 - 2000 | € 0,239 | € 119,55 |
| 2500+ | € 0,233 | € 116,66 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType du produit
Jonction au silicium
Configuration de diode
Single
Courant direct maximum If
4A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
DO-41
Nombre de broche
2
Tension directe maximale Vf
890mV
Temps de recouvrement inverse crête trr
35ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
150V
Température de fonctionnement minimum
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
125A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
9.5mm
Hauteur
9.5mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.


