Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de montage
Through Hole
Type de conditionnement
DO-201AD
Courant direct continu maximum
4A
Tension inverse de crête répétitive
200V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
General Purpose
Type diode
Rectifier
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
890mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
75ns
Diamètre
5.3mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
125A
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
€ 4,04
€ 0,404 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 4,04
€ 0,404 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,404 | € 4,04 |
100 - 240 | € 0,348 | € 3,48 |
250+ | € 0,302 | € 3,02 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de montage
Through Hole
Type de conditionnement
DO-201AD
Courant direct continu maximum
4A
Tension inverse de crête répétitive
200V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
General Purpose
Type diode
Rectifier
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
890mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
75ns
Diamètre
5.3mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
125A
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.