Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de montage
Through Hole
Type de boîtier
DO-201AD
Courant direct continu maximum
4A
Tension inverse de crête répétitive
200V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Usage général
Type diode
Redresseur
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
890mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
75ns
diamètre
5.3mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
125A
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
€ 30,57
€ 0,306 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
100
€ 30,57
€ 0,306 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Sac)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Sac |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,306 | € 3,06 |
| 250+ | € 0,265 | € 2,65 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de montage
Through Hole
Type de boîtier
DO-201AD
Courant direct continu maximum
4A
Tension inverse de crête répétitive
200V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Usage général
Type diode
Redresseur
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
890mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
75ns
diamètre
5.3mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
125A
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.


