Jonction au silicium Non onsemi, Simple, 4 A 600 V, 2 broches, DO-201AD
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Single
Type du produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
4A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
DO-201AD
Nombre de broches
2
Temps de recouvrement inverse crête trr
75ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
600V
Tension directe maximale Vf
1.28V
Température d'utilisation minimale
71°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
110A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
0.375pouce
Taille
9.52mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
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€ 2,63
€ 0,263 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 2,63
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Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,263 | € 2,63 |
| 100 - 240 | € 0,228 | € 2,28 |
| 250+ | € 0,20 | € 2,00 |
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2
Temps de recouvrement inverse crête trr
75ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
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Tension directe maximale Vf
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Température d'utilisation minimale
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Longueur
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Taille
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No
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