Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Cathode commune
Type du produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
18A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
Surface
Type de Boitier
TO-263
Nombre de broche
3
Temps de recouvrement inverse crête trr
35ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
975mV
Température d'utilisation minimum
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.29mm
Hauteur
4.83mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes de redressement, 10 à 30 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 514,70
€ 0,643 Each (On a Reel of 800) (hors TVA)
800
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800
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Cathode commune
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Jonction au silicium
Courant direct maximum If
18A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
Surface
Type de Boitier
TO-263
Nombre de broche
3
Temps de recouvrement inverse crête trr
35ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
975mV
Température d'utilisation minimum
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.29mm
Hauteur
4.83mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes de redressement, 10 à 30 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.


