Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de montage
CMS
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Courant direct continu maximum
5A
Tension inverse de crête répétitive
520V
Configuration de diode
Single
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1.15V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
95ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
75A
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
€ 718,65
€ 0,287 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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520V
Configuration de diode
Single
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1.15V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
95ns
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Pays d'origine
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Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
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