Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Cathode commune
Type de montage
CMS
Nombre d'éléments par circuit
2
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Technologie de diode
Silicon Junction
Chute minimale de tension directe
1.2V
Nombre de broche
3
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Largeur
6.22mm
Hauteur
2.38mm
Dimensions
2.38 x 6.73 x 6.22mm
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Cathode commune
Type de montage
CMS
Nombre d'éléments par circuit
2
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Technologie de diode
Silicon Junction
Chute minimale de tension directe
1.2V
Nombre de broche
3
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Largeur
6.22mm
Hauteur
2.38mm
Dimensions
2.38 x 6.73 x 6.22mm
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.


