Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Cathode commune
Type de montage
CMS
Nombre d'éléments par circuit
2
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Technologie de diode
Jonction au silicium
Chute minimale de tension directe
1.2V
Nombre de broche
3
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Largeur
6.22mm
Hauteur
2.38mm
Dimensions
2.38 x 6.73 x 6.22mm
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
20
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Cathode commune
Type de montage
CMS
Nombre d'éléments par circuit
2
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Technologie de diode
Jonction au silicium
Chute minimale de tension directe
1.2V
Nombre de broche
3
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Largeur
6.22mm
Hauteur
2.38mm
Dimensions
2.38 x 6.73 x 6.22mm
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.


