Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Cathode commune
Type de produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
6A
Type de montage
Surface
Sous type
Silicon Junction
Type de Boitier
TO-252
Nombre de broches
3
Temps de recouvrement inverse crête trr
35ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
1.2V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
50A
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
6.22 mm
Longueur
6.73mm
Hauteur
2.38mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
20
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Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Cathode commune
Type de produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
6A
Type de montage
Surface
Sous type
Silicon Junction
Type de Boitier
TO-252
Nombre de broches
3
Temps de recouvrement inverse crête trr
35ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
1.2V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
50A
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
6.22 mm
Longueur
6.73mm
Hauteur
2.38mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.


