Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Cathode commune
Type de produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
8A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
TO-220
Nombre de broches
3
Temps de recouvrement inverse crête trr
28ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
400V
Tension directe maximale Vf
2.2V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.82 mm
Longueur
10.28mm
Hauteur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9,28
€ 1,857 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
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Cathode commune
Type de produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
8A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
TO-220
Nombre de broches
3
Temps de recouvrement inverse crête trr
28ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
400V
Tension directe maximale Vf
2.2V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.82 mm
Longueur
10.28mm
Hauteur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
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