Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de montage
Through Hole
Type de boîtier
A-220
Courant direct continu maximum
8A
Tension inverse de crête répétitive
600V
Configuration de diode
Cathode commune
Type de redressement
Commutation
Type diode
Jonction au silicium
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
2.8V
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
35ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
100A
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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onsemiType de montage
Through Hole
Type de boîtier
A-220
Courant direct continu maximum
8A
Tension inverse de crête répétitive
600V
Configuration de diode
Cathode commune
Type de redressement
Commutation
Type diode
Jonction au silicium
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
2.8V
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
35ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
100A
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
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