Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Single
Type de produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
2A
Type de montage
Surface
Sous type
Silicon Junction
Type de Boitier
DO-214AA
Nombre de broches
2
Temps de recouvrement inverse crête trr
50ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
100V
Tension directe maximale Vf
875mV
Température d'utilisation minimum
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
40A
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
No
Largeur
3.95 mm
Longueur
4.6mm
Hauteur
2.27mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes de redressement, 2 à 3 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or SUR-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 7,62
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 7,62
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
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Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Single
Type de produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
2A
Type de montage
Surface
Sous type
Silicon Junction
Type de Boitier
DO-214AA
Nombre de broches
2
Temps de recouvrement inverse crête trr
50ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
100V
Tension directe maximale Vf
875mV
Température d'utilisation minimum
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
40A
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
No
Largeur
3.95 mm
Longueur
4.6mm
Hauteur
2.27mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes de redressement, 2 à 3 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or SUR-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.


