MOSFET onsemi canal N, DPAK (TO-252) 5,5 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.5 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Dissipation de puissance maximum
117 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
18,5 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
6.73mm
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.38mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 100 V à 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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5
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CMS
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Single
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Longueur
6.73mm
Largeur
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Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
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