MOSFET onsemi canal N, SOT-23 1,2 A 30 V, 3 broches

N° de stock RS: 671-1080PMarque: onsemiN° de pièce Mfr: NDS351AN
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

1,2 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de conditionnement

SOT-23, TO-236

Série

PowerTrench

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

160 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

0.8V

Dissipation de puissance maximum

0,5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

1,3 nC @ 4,5 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2.92mm

Taille

0.94mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
100 - 240€ 0,377€ 3,77
250 - 490€ 0,328€ 3,28
500 - 990€ 0,287€ 2,88
1000+€ 0,261€ 2,61

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N

Courant continu de Drain maximum

1,2 A

Tension Drain Source maximum

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Type de conditionnement

SOT-23, TO-236

Série

PowerTrench

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

160 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

0.8V

Dissipation de puissance maximum

0,5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

1,3 nC @ 4,5 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2.92mm

Taille

0.94mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

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