Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1,2 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Série
PowerTrench
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
1,3 nC @ 4,5 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.92mm
Taille
0.94mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 37,68
€ 0,377 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 37,68
€ 0,377 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,377 | € 3,77 |
| 250 - 490 | € 0,328 | € 3,28 |
| 500 - 990 | € 0,287 | € 2,88 |
| 1000+ | € 0,261 | € 2,61 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1,2 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Série
PowerTrench
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
1,3 nC @ 4,5 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.92mm
Taille
0.94mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.


