MOSFET onsemi canal N, DPAK (TO-252) 24 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
24 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
62.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-15 V, +15 V
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC @ 5 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.38mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 3,00
€ 1,50 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
2
€ 3,00
€ 1,50 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
2
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 1,50 | € 3,00 |
| 20 - 38 | € 1,426 | € 2,85 |
| 40 - 98 | € 1,324 | € 2,65 |
| 100 - 198 | € 1,284 | € 2,57 |
| 200+ | € 1,239 | € 2,48 |
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N
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-60 V
Type de boîtier
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
62.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-15 V, +15 V
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC @ 5 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
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