Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
250 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
2.72 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
0,9 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 91,37
€ 0,152 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
600
€ 91,37
€ 0,152 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
600
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 600 - 1450 | € 0,152 | € 7,62 |
| 1500+ | € 0,117 | € 5,85 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
250 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
2.72 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
0,9 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


