MOSFET onsemi canal N, SOT-363 250 mA 30 V, 6 broches

N° de stock RS: 780-0608PMarque: onsemiN° de pièce Mfr: NTJD4001NT1G
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

250 mA

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de boîtier

SOT-363

Type de montage

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

2,5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

2.72 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

2

Longueur

2.2mm

Largeur

1.35mm

Matériau du transistor

Si

Charge de Grille type @ Vgs

0,9 nC @ 5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal N, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 0,152 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
600 - 1450€ 0,152€ 7,62
1500+€ 0,117€ 5,85

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N

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Type de boîtier

SOT-363

Type de montage

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

2,5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

2.72 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

2

Longueur

2.2mm

Largeur

1.35mm

Matériau du transistor

Si

Charge de Grille type @ Vgs

0,9 nC @ 5 V

Température d'utilisation maximum

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Hauteur

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