MOSFET onsemi canal P, SOT-23 2,4 A 20 V, 3 broches

N° de stock RS: 688-9152PMarque: onsemiN° de pièce Mfr: NTR4101PT1G
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

2.4 A

Tension Drain Source maximum

20 V (canal N), -20 V (canal P)

Type de boîtier

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

85 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

730 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-8 V, +8 V

Charge de Grille type @ Vgs

7,5 nC @ 4,5 V

Largeur

1.3mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2.9mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

0.94mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance à canal P, 20 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 5,11

€ 0,256 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal P, SOT-23 2,4 A 20 V, 3 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 2.

Production -

Disponible en multiples de 2.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

20

Disponible en multiples de 2
20€ 5,11
22€ 5,63
24€ 6,14
26€ 6,65
28€ 7,16
30€ 7,67
32€ 8,18
34€ 8,69
36€ 9,21
38€ 9,72
40€ 10,23
42€ 10,74
44€ 11,25
46€ 11,76
48€ 12,27

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
20 - 198€ 0,256€ 0,51
200 - 998€ 0,222€ 0,44
1000 - 1998€ 0,193€ 0,39
2000+€ 0,176€ 0,35

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SOT-23, TO-236

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CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

85 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.2V

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Configuration du transistor

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Largeur

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Matériau du transistor

Si

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