Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1,37 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
329 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.9mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 52,28
€ 0,105 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
€ 52,28
€ 0,105 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,105 | € 5,23 |
| 1000+ | € 0,09 | € 4,49 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1,37 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
329 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.9mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


