Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0,7 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
330 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,2 nC @ 4,5 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
0.9mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 25 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 5,77
€ 0,231 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
€ 5,77
€ 0,231 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,231 | € 5,77 |
| 100 - 225 | € 0,199 | € 4,97 |
| 250 - 475 | € 0,173 | € 4,32 |
| 500 - 975 | € 0,151 | € 3,78 |
| 1000+ | € 0,138 | € 3,44 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0,7 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
330 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,2 nC @ 4,5 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
0.9mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


