Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de produit
Transistor à usage général
Courant continu de Collecteur maximum Idc
-800mA
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
-60V
Type de Boitier
TO-92-3
Type de support
Surface Mount
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximale VCBO
-60V
Dissipation de puissance maximum Pd
625mW
Polarité du transistor
PNP
Gain en courant DC minimum hFE
100
Tension Emetteur Base maximale VEBO
-5V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Fréquence de transition maximale ft
200MHz
Nombre de broches
3
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.82mm
Longueur
4.76mm
Normes/homologations
Pb Free
Largeur
3.45mm
Série
PN2907A
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
100
Prix sur demande
Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Sac)
100
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de produit
Transistor à usage général
Courant continu de Collecteur maximum Idc
-800mA
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
-60V
Type de Boitier
TO-92-3
Type de support
Surface Mount
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximale VCBO
-60V
Dissipation de puissance maximum Pd
625mW
Polarité du transistor
PNP
Gain en courant DC minimum hFE
100
Tension Emetteur Base maximale VEBO
-5V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Fréquence de transition maximale ft
200MHz
Nombre de broches
3
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.82mm
Longueur
4.76mm
Normes/homologations
Pb Free
Largeur
3.45mm
Série
PN2907A
Pays d'origine
China


