Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
5 A CC
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V c.c.
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Tension Collecteur Base maximum
80 V dc
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
4 V dc
Höhe
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Rozměry
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Longueur
10.53mm
Šířka
4.83mm
Dissipation de puissance maximum
65 W
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
Prix sur demande
Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
5 A CC
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V c.c.
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Tension Collecteur Base maximum
80 V dc
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
4 V dc
Höhe
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Rozměry
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Longueur
10.53mm
Šířka
4.83mm
Dissipation de puissance maximum
65 W
Pays d'origine
China


