Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
10 A (crête), 6 A (continu)
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V dc
Tension Emetteur Base maximum
5 V dc
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
15
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V c.c.
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.5 V dc
Courant de coupure Collecteur maximum
400µA
Rozměry
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Höhe
15.75mm
Largeur
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Longueur
10.53mm
Courant de base
2A
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
Prix sur demande
Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
10 A (crête), 6 A (continu)
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V dc
Tension Emetteur Base maximum
5 V dc
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
15
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V c.c.
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.5 V dc
Courant de coupure Collecteur maximum
400µA
Rozměry
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Höhe
15.75mm
Largeur
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Longueur
10.53mm
Courant de base
2A
Pays d'origine
China


