Photo diode, OSI Optoelectronics, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-18
Documents techniques
Spécifications
Brand
OSI OptoelectronicsSpectres détectés
Infrared
Pic de sensibilité de longueur d'onde
900nm
Type de conditionnement
TO-18
Type de montage
Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Hauteur
0.2in
Diamètre
5.33mm
Photosensibilité de pointe
0.54A/W
Série
OSD
Polarité
Inverse
Temps de croissance
10ns
Pays d'origine
United States
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€ 187,63
€ 18,763 Each (In a Tray of 10) (hors TVA)
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Plateau |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 18,763 | € 187,63 |
| 20+ | € 18,068 | € 180,68 |
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No
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
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Hauteur
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Diamètre
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