Photo diode, OSI Optoelectronics, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-5
Documents techniques
Spécifications
Brand
OSI OptoelectronicsSpectres détectés
Infrared
Pic de sensibilité de longueur d'onde
900nm
Type de conditionnement
TO-5
Type de montage
Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Hauteur
0.13in
Diamètre
9.14mm
Photosensibilité de pointe
0.54A/W
Série
OSD
Polarité
Reverse
Temps de croissance
9ns
Pays d'origine
United States
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€ 260,86
€ 26,086 Each (In a Tray of 10) (hors TVA)
10
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10
| Quantité | Prix unitaire | Par Plateau |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 26,086 | € 260,86 |
| 20+ | € 25,121 | € 251,21 |
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2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
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