Photo diode, OSI Optoelectronics, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-8
Documents techniques
Spécifications
Brand
OSI OptoelectronicsSpectres détectés
Infrared
Spectrum(s) Detected
Infrared
Pic de sensibilité de longueur d'onde
970nm
Type de conditionnement
TO-8
Type de montage
Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Taille
0.205in
Diamètre
13.97mm
Photosensibilité de pointe
0.65A/W
Série
PIN
Polarité
Inverse
Temps de croissance
24ns
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€ 569,06
€ 56,906 Each (In a Tray of 10) (hors TVA)
10
€ 569,06
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| Quantité | Prix unitaire | Par Plateau |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 56,906 | € 569,06 |
| 20+ | € 54,801 | € 548,01 |
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Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Taille
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