Photo diode, OSI Optoelectronics, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier Céramique
Documents techniques
Spécifications
Brand
OSI OptoelectronicsSpectres détectés
Ultraviolet
Pic de sensibilité de longueur d'onde
980nm
Type de boîtier
Ceramic
Type de montage
Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
190nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Longueur
16.51mm
Largeur
14.99mm
Taille
2.03mm
Photosensibilité de pointe
0.5A/W
Polarité
Reverse
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Photodiodes de la série UV Enhanced d'OSI
La série UV Enhanced d'OSI Optoelectronics est composée de photodiodes planaires au silicium à protection renforcées contre les UV. Cette série comprend deux familles de photodiodes séparées, à canal d'inversion et planaires diffusées. Ces deux familles sont conçues pour la détection de faible bruit dans la zone UV du spectre électromagnétique.
La famille à structure à couche d'inversion offre un rendement quantique interne de 100 %. Avec une résistance shunt élevée, un faible bruit et des tensions disruptives élevées, cette famille de photodiodes sont idéales pour les mesures de lumière de faible intensité.
Les photodiodes à structure planaire diffusée offrent une capacité inférieure et un temps de réponse plus long par rapport à la famille à inversion. La linéarité de leur photocourant va également jusqu'à une puissance d'entrée de lumière plus élevée par rapport aux photodiodes à couche d'inversion.
Applications adaptées à la série UV Enhanced : contrôle de la pollution, instruments médicaux, appareils exposés aux UV, spectroscopie, purification de l'eau et fluorescence.
Caractéristiques de la série UV Enhanced :
Photodiodes au silicium à couches d'inversion ou planaires
Excellente réponse aux UV
Photodiodes, OSI Optoelectronics
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€ 403,42
€ 201,712 Each (In a Box of 2) (hors TVA)
2
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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No
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2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
190nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Longueur
16.51mm
Largeur
14.99mm
Taille
2.03mm
Photosensibilité de pointe
0.5A/W
Polarité
Reverse
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Photodiodes de la série UV Enhanced d'OSI
La série UV Enhanced d'OSI Optoelectronics est composée de photodiodes planaires au silicium à protection renforcées contre les UV. Cette série comprend deux familles de photodiodes séparées, à canal d'inversion et planaires diffusées. Ces deux familles sont conçues pour la détection de faible bruit dans la zone UV du spectre électromagnétique.
La famille à structure à couche d'inversion offre un rendement quantique interne de 100 %. Avec une résistance shunt élevée, un faible bruit et des tensions disruptives élevées, cette famille de photodiodes sont idéales pour les mesures de lumière de faible intensité.
Les photodiodes à structure planaire diffusée offrent une capacité inférieure et un temps de réponse plus long par rapport à la famille à inversion. La linéarité de leur photocourant va également jusqu'à une puissance d'entrée de lumière plus élevée par rapport aux photodiodes à couche d'inversion.
Applications adaptées à la série UV Enhanced : contrôle de la pollution, instruments médicaux, appareils exposés aux UV, spectroscopie, purification de l'eau et fluorescence.
Caractéristiques de la série UV Enhanced :
Photodiodes au silicium à couches d'inversion ou planaires
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