Relais statique, Panasonic, 130 mA, Montage sur CI, 1.5 V, 350 V
Documents techniques
Spécifications
Brand
PanasonicCourant de charge maximal
130 mA
Type de fixation
PCB Mount
Tension de charge maximale
350 V
Tension de commande minimale
1.14 V
Tension de commande maximale
1,5 V
Configuration de contact
1NO
Type de raccordement
Through Hole
Type de sortie
PhotoMOS
Format de boîtier
DIP6
Durée maximale de mise sous tension
2 ms
Dimensions
8.8 x 6.4 x 3.9mm
Température minimum d'utilisation
-40°C
Hauteur
3.9mm
Longueur
8.8mm
Courant de fuite à l'état bloqué
1 μA
Plage de température d'utilisation
-40 → +85°C
Gamme de tension de commande
1.14 → 1.5 V
Température maximum d'utilisation
+85°C
Profondeur
6.4mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Relais statiques AQV210E et AQV210EH
Relais photo-MOS optoélectroniques avec driver de puissance MOSFET.
Applications: équipements téléphoniques et de communication ou systèmes de communication haute vitesse.
Approvals
UL and CSA
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3,27
€ 3,27 Each (hors TVA)
1
€ 3,27
€ 3,27 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,27 |
| 10 - 99 | € 3,19 |
| 100 - 249 | € 3,09 |
| 250 - 499 | € 3,01 |
| 500+ | € 2,93 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
PanasonicCourant de charge maximal
130 mA
Type de fixation
PCB Mount
Tension de charge maximale
350 V
Tension de commande minimale
1.14 V
Tension de commande maximale
1,5 V
Configuration de contact
1NO
Type de raccordement
Through Hole
Type de sortie
PhotoMOS
Format de boîtier
DIP6
Durée maximale de mise sous tension
2 ms
Dimensions
8.8 x 6.4 x 3.9mm
Température minimum d'utilisation
-40°C
Hauteur
3.9mm
Longueur
8.8mm
Courant de fuite à l'état bloqué
1 μA
Plage de température d'utilisation
-40 → +85°C
Gamme de tension de commande
1.14 → 1.5 V
Température maximum d'utilisation
+85°C
Profondeur
6.4mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Relais statiques AQV210E et AQV210EH
Relais photo-MOS optoélectroniques avec driver de puissance MOSFET.
Applications: équipements téléphoniques et de communication ou systèmes de communication haute vitesse.
Approvals
UL and CSA