Documents techniques
Spécifications
Brand
Renesas ElectronicsType de transistor
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
30 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
8 V
Type de boîtier
SOIC N
Type de montage
CMS
Configuration du transistor
Komplexní
Tension Collecteur Base maximum
12 V
Maximální bázové napětí emitoru
5.5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
10000 MHz
Nombre de broche
8
Počet prvků na čip
6
Betriebstemperatur max.
85 °C
Rozměry
1.5 x 5 x 4mm
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
1
Documents techniques
Spécifications
Brand
Renesas ElectronicsType de transistor
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
30 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
8 V
Type de boîtier
SOIC N
Type de montage
CMS
Configuration du transistor
Komplexní
Tension Collecteur Base maximum
12 V
Maximální bázové napětí emitoru
5.5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
10000 MHz
Nombre de broche
8
Počet prvků na čip
6
Betriebstemperatur max.
85 °C
Rozměry
1.5 x 5 x 4mm


