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Disque 250 Go M.2 (2280) NVMe 1.1, PCIe 3.0 x 4 MZ-V6E

N° de stock RS: 136-3064Marque: SamsungN° de pièce Mfr: MZ-V6E250BW
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Samsung

Modèle

MZ-V6P

Interne/Externe

Internal

Format

M.2 (2280)

Capacité

250 Go

Interface

NVMe 1.1, PCIe 3.0 x 4

Type NAND

V-NAND

Dimensions

22.1 x 80.01 x 2.29mm

Longueur

22.1mm

Largeur

80.01mm

Taille

2.29mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Disque SSD NVMe Samsung 960 EVO

Le Samsung 960 EVO est conçu pour les utilisateurs de disque SSD NVMe d'entrée de gamme, qui veulent découvrir les performances PC de nouvelle génération pour le jeu et les graphismes. Fourni avec le logiciel Samsung Magician qui offre une plus grande facilité de surveillance, de gestion et de maintien des performances et de la fiabilité

• Performances de lecture/écriture de mémoire non volatile express (NVMe)
• Disque SSD V-NAND, idéal pour les PC hautes performances
• Chiffrement sécurisé
• 3 200 Mo/s en lecture séquentielle
• 1 900 Mo/s en écriture séquentielle

Solid State Drives

Vous pouvez être intéressé par
Disque SSD 250 Go M.2 (2280) SATA III 860 EVO
Prix ​​sur demandeEach (hors TVA)
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Prix ​​sur demande

Disque 250 Go M.2 (2280) NVMe 1.1, PCIe 3.0 x 4 MZ-V6E

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Samsung

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MZ-V6P

Interne/Externe

Internal

Format

M.2 (2280)

Capacité

250 Go

Interface

NVMe 1.1, PCIe 3.0 x 4

Type NAND

V-NAND

Dimensions

22.1 x 80.01 x 2.29mm

Longueur

22.1mm

Largeur

80.01mm

Taille

2.29mm

Pays d'origine

China

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Disque SSD NVMe Samsung 960 EVO

Le Samsung 960 EVO est conçu pour les utilisateurs de disque SSD NVMe d'entrée de gamme, qui veulent découvrir les performances PC de nouvelle génération pour le jeu et les graphismes. Fourni avec le logiciel Samsung Magician qui offre une plus grande facilité de surveillance, de gestion et de maintien des performances et de la fiabilité

• Performances de lecture/écriture de mémoire non volatile express (NVMe)
• Disque SSD V-NAND, idéal pour les PC hautes performances
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• 3 200 Mo/s en lecture séquentielle
• 1 900 Mo/s en écriture séquentielle

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