Module IGBT, SEMiX303GB12E4p, , 469 A, 1200 V, SEMiX®3p, 11 broches, Série

Modules SEMiX® Dual IGBT

Modules IGBT doubles de Semikron dans des boîtiers SEMiX® bas profil modernes pour les applications de contrôle puissance demi-pont. Ces modules utilisent des contacts à ressort ou insérés à force sans soudure permettant de monter directement une commande de grille sur le dessus du module, ce qui permet d'économiser de l'espace et d'assurer une plus grande fiabilité de connexion. Les applications classiques sont les variateurs inverseurs c.a., les ASI et les systèmes de soudage électronique et à énergie renouvelable.
Pour les modules de commande de grille insérés à force, voir 122-0385 à 122-0387

• Boîtier à montage sans soudure bas profil
• IGBT issu de la technologie Trenchgate
• VCE(sat) présente un coefficient de température positif
• Haute capacité de courant de court-circuit
• Broches insérées à force en tant que contacts auxiliaires
• Homologué UL

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.