Module IGBT, SK 150 MLI 066 T, , 151 A, 600 V, SEMITOP4, 70 broches, Série
Documents techniques
Spécifications
Brand
Semikron DanfossCourant continu de Collecteur maximum
151 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Format
Series
Type d'emballage
SEMITOP4
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
70
Configuration du transistor
Series
Dimensions
55 x 60.25 x 15.08mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Pays d'origine
Italy
Détails du produit
Modules IGBT quadruples
La configuration en série de ces modules IGBT quadruples de Semikron en fait la solution parfaite pour les applications nécessitant une topologie à trois niveaux hautes performances. Ces modules compacts SEMITOP 3 à montage sur CI se fixent via un unique orifice et offrent une excellente dissipation thermique tout en utilisant la technologie IGBT Trench. Les applications typiques incluent les inverseurs c.c./c.a. à trois niveaux et les alimentations sans interruption.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 183,08
€ 183,08 Each (hors TVA)
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Series
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Type de canal
N
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70
Configuration du transistor
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Dimensions
55 x 60.25 x 15.08mm
Température d'utilisation maximum
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Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Pays d'origine
Italy
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Modules IGBT quadruples
La configuration en série de ces modules IGBT quadruples de Semikron en fait la solution parfaite pour les applications nécessitant une topologie à trois niveaux hautes performances. Ces modules compacts SEMITOP 3 à montage sur CI se fixent via un unique orifice et offrent une excellente dissipation thermique tout en utilisant la technologie IGBT Trench. Les applications typiques incluent les inverseurs c.c./c.a. à trois niveaux et les alimentations sans interruption.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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