Module IGBT4 rapide Non Semikron DanfossCanal-Type N, 232 A, 1200 V 180 ns, 5 broches, SEMITRANS2 Surface
Documents techniques
Spécifications
Brand
Semikron DanfossCourant continu de Collecteur maximum lc
232A
Type du produit
Module IGBT4 rapide
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
1200V
Type de Boitier
SEMITRANS2
Type de montage
Surface
Type de canal
Type N
Nombre de broche
5
Vitesse de découpage
180ns
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.4V
Température minimum d'utilisation
-40°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
94mm
Hauteur
30.1mm
Normes/homologations
IEC 60747-1
Série
GAL
Standard automobile
No
Détails du produit
Modules IGBT simples
SEMIKRON propose des modules IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) dans des boîtiers SEMITRANS, SEMiX et SEMITOP en différentes topologies et valeurs nominales de courant et de tension.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 107,15
€ 107,15 Each (hors TVA)
1
€ 107,15
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1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 107,15 |
| 10 - 19 | € 79,61 |
| 20+ | € 75,65 |
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Type de Boitier
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Surface
Type de canal
Type N
Nombre de broche
5
Vitesse de découpage
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Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.4V
Température minimum d'utilisation
-40°C
Température d'utilisation maximum
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Longueur
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Hauteur
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Normes/homologations
IEC 60747-1
Série
GAL
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Modules IGBT simples
SEMIKRON propose des modules IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) dans des boîtiers SEMITRANS, SEMiX et SEMITOP en différentes topologies et valeurs nominales de courant et de tension.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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