Module IGBT, SKM400GAL12E4 , , 618 A, 1200 V, SEMITRANS3, 5 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
Semikron DanfossCourant continu de Collecteur maximum
618 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Format
Single
Type d'emballage
SEMITRANS3
Type de fixation
Panel Mount
Type de canal
N
Nombre de broche
5
Configuration du transistor
Single
Dimensions
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
61.4mm
Détails du produit
Modules IGBT simples
SEMIKRON propose des modules IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) dans des boîtiers SEMITRANS, SEMiX et SEMITOP en différentes topologies et valeurs nominales de courant et de tension.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 235,01
€ 235,01 Each (hors TVA)
1
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1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 235,01 |
| 10 - 19 | € 223,49 |
| 20 - 49 | € 212,22 |
| 50 - 249 | € 201,64 |
| 250+ | € 191,77 |
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Format
Single
Type d'emballage
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Type de fixation
Panel Mount
Type de canal
N
Nombre de broche
5
Configuration du transistor
Single
Dimensions
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
61.4mm
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SEMIKRON propose des modules IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) dans des boîtiers SEMITRANS, SEMiX et SEMITOP en différentes topologies et valeurs nominales de courant et de tension.
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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