Module IGBT Non Semikron DanfossCanal-Type N, 81 A, 1200 V 20 kHz, 7 broches, SEMITRANS Panneau 2
Documents techniques
Spécifications
Brand
Semikron DanfossCourant continu de Collecteur maximum lc
81A
Type du produit
Module IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
1200V
Nombre de transistors
2
Type de Boitier
SEMITRANS
Type de montage
Panel
Type de canal
Type N
Nombre de broche
7
Vitesse de découpage
20kHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Température minimum d'utilisation
175°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.1V
Température d'utilisation maximum
-40°C
Hauteur
30.1mm
Longueur
94mm
Normes/homologations
No
Série
SKM50GB12T4
Standard automobile
No
Détails du produit
Modules IGBT doubles
Une gamme de modules IGBT SEMITOP® de Semikron intégrant deux dispositifs IGBT (demi-pont) connectés en série. Les modules sont disponibles dans une large gamme de tensions et intensités nominales et sont adaptés à une variété d'applications de commutation d'alimentation telles que les entraînements de moteur inverseur c.a. et les alimentations sans interruption.
Boîtier SEMITOP® compact
Adapté pour des fréquences de commutation jusqu'à 12 kHz
Base en cuivre isolé utilisant la technologie de cuivre à liaison directe
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 87,09
€ 87,09 Each (hors TVA)
1
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1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 87,09 |
| 2 - 4 | € 82,74 |
| 5 - 9 | € 76,64 |
| 10 - 19 | € 72,81 |
| 20+ | € 69,14 |
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2
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Panel
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Type N
Nombre de broche
7
Vitesse de découpage
20kHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Température minimum d'utilisation
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Hauteur
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No
Série
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Modules IGBT doubles
Une gamme de modules IGBT SEMITOP® de Semikron intégrant deux dispositifs IGBT (demi-pont) connectés en série. Les modules sont disponibles dans une large gamme de tensions et intensités nominales et sont adaptés à une variété d'applications de commutation d'alimentation telles que les entraînements de moteur inverseur c.a. et les alimentations sans interruption.
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Adapté pour des fréquences de commutation jusqu'à 12 kHz
Base en cuivre isolé utilisant la technologie de cuivre à liaison directe
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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