Pont redresseur Monophasé, 30A, 1200V, 4 broches, G 12
Documents techniques
Spécifications
Brand
SemikronPrůměrný špičkový propustný proud
30A
Type de pont
Single Phase
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1200V
Type de montage
Chassis Mount
Type de boîtier
G 12
Nombre de broche
4
Format
Single
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
370A
Betriebstemperatur max.
150 °C
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Tension directe de crête
2.2V
Courant inverse crête
5mA
Longueur
55mm
Rozměry
55 x 45 x 24mm
Höhe
24mm
Largeur
45mm
Détails du produit
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
Documents techniques
Spécifications
Brand
SemikronPrůměrný špičkový propustný proud
30A
Type de pont
Single Phase
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1200V
Type de montage
Chassis Mount
Type de boîtier
G 12
Nombre de broche
4
Format
Single
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
370A
Betriebstemperatur max.
150 °C
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Tension directe de crête
2.2V
Courant inverse crête
5mA
Longueur
55mm
Rozměry
55 x 45 x 24mm
Höhe
24mm
Largeur
45mm
Détails du produit
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.