Diode TVS Bidirectionnel, claq. 6V, 11V SOIC, 8 broches, dissip. 300W
Documents techniques
Spécifications
Brand
SemtechType de direction
Bidirectionnel
Configuration de diode
Isolated
Tension de pincement maximum
11V
Tension de claquage
6V
Type de fixation
CMS
Type de boîtier
SOIC W
Tension inverse maximum à l'état bloqué
5V
Nombre de broche
8
Dissipation de puissance crête d'impulsion
300W
Courant d'impulsion crête maximum
5.1A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
4
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Dimensions
5 x 4 x 1.5mm
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Taille
1.5mm
Courant de test
1mA
Longueur
5mm
Largeur
4mm
Courant de fuite inverse maximum
20µA
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Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
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SOIC W
Tension inverse maximum à l'état bloqué
5V
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8
Dissipation de puissance crête d'impulsion
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Protection ESD
Yes
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Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Dimensions
5 x 4 x 1.5mm
Température d'utilisation maximum
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