Diode TVS Bidirectionnel, claq. 6V, 11V SOIC, 8 broches, dissip. 300W
Documents techniques
Spécifications
Brand
SemtechType de direction
Bi-Directional
Configuration de diode
Isolated
Tension de pincement maximum
11V
Tension de claquage
6V
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOIC W
Tension inverse maximum à l'état bloqué
5V
Nombre de broches
8
Dissipation de puissance crête d'impulsion
300W
Courant d'impulsion crête maximum
5.1A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
4
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Dimensions
5 x 4 x 1.5mm
Température maximale d'utilisation
+125 °C
Hauteur
1.5mm
Courant de test
1mA
Longueur
5mm
Largeur
4mm
Courant de fuite inverse maximum
20µA
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
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Tension inverse maximum à l'état bloqué
5V
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8
Dissipation de puissance crête d'impulsion
300W
Courant d'impulsion crête maximum
5.1A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
4
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Dimensions
5 x 4 x 1.5mm
Température maximale d'utilisation
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