Documents techniques
Spécifications
Brand
SpansionTaille mémoire
512Mbit
Type d'interface
Parallel
Type de boîtier
TSOP-1
Nombre de broche
56
Organizace
32 Mb x 16 bits
Type de montage
CMS
Typ článku
NOR
Minimální provozní napájecí napětí
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Organisation des blocs
Symétrique
Longueur
18.5mm
Höhe
1.05mm
Šířka
14.1mm
Rozměry
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Temps d'accès aléatoire maximum
100ns
Nombre de mots
32M
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Nombre de bits par mot
16bit
Betriebstemperatur max.
85 °C
Pays d'origine
Thailand
Détails du produit
Mémoire Flash NOR parallèle, Cypress Semiconductor
Grandes performances.
Accès aléatoire rapide et largeur de bande élevée
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Standard
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Documents techniques
Spécifications
Brand
SpansionTaille mémoire
512Mbit
Type d'interface
Parallel
Type de boîtier
TSOP-1
Nombre de broche
56
Organizace
32 Mb x 16 bits
Type de montage
CMS
Typ článku
NOR
Minimální provozní napájecí napětí
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Organisation des blocs
Symétrique
Longueur
18.5mm
Höhe
1.05mm
Šířka
14.1mm
Rozměry
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Temps d'accès aléatoire maximum
100ns
Nombre de mots
32M
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Nombre de bits par mot
16bit
Betriebstemperatur max.
85 °C
Pays d'origine
Thailand
Détails du produit
Mémoire Flash NOR parallèle, Cypress Semiconductor
Grandes performances.
Accès aléatoire rapide et largeur de bande élevée
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.


