Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
3 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
30 V
Type de boîtier
SOT-32
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
12.5 W
Gain en courant DC minimum
100
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
60 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Détails du produit
Transistors de puissance NPN, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
3 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
30 V
Type de boîtier
SOT-32
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
12.5 W
Gain en courant DC minimum
100
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
60 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Détails du produit
Transistors de puissance NPN, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.


