Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
100mA
Tension inverse de crête répétitive
30V
Configuration de diode
Anode commune
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
750mA
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 38,96
€ 0,078 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
€ 38,96
€ 0,078 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
500
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 500 - 900 | € 0,078 | € 7,79 |
| 1000 - 2400 | € 0,071 | € 7,10 |
| 2500 - 4900 | € 0,063 | € 6,30 |
| 5000+ | € 0,061 | € 6,07 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
100mA
Tension inverse de crête répétitive
30V
Configuration de diode
Anode commune
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
750mA
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.


