Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Diode
Type de montage
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Courant continu direct maximum If
100mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
30V
Séries
BAR43
Configuration de diode
Cathode commune
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
3
Courant inverse crête Ir
500nA
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
750mA
Tension directe maximale Vf
0.45V
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
1.3 mm
Hauteur
0.95mm
Longueur
2.9mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 0,82
€ 0,082 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 0,82
€ 0,082 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,082 | € 0,82 |
| 50 - 90 | € 0,076 | € 0,76 |
| 100 - 240 | € 0,066 | € 0,66 |
| 250 - 490 | € 0,062 | € 0,62 |
| 500+ | € 0,058 | € 0,58 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Diode
Type de montage
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Courant continu direct maximum If
100mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
30V
Séries
BAR43
Configuration de diode
Cathode commune
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
3
Courant inverse crête Ir
500nA
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
750mA
Tension directe maximale Vf
0.45V
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
1.3 mm
Hauteur
0.95mm
Longueur
2.9mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.



