Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
300mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Anode commune
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
Schottky
Nombre de broches
3
Chute minimale de tension directe
900mV
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Barrière Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1A
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
€ 2,75
€ 0,11 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
25
€ 2,75
€ 0,11 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
25
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Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,11 | € 2,75 |
125 - 225 | € 0,104 | € 2,60 |
250 - 600 | € 0,094 | € 2,34 |
625 - 1225 | € 0,084 | € 2,10 |
1250+ | € 0,081 | € 2,02 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
300mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Anode commune
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
Schottky
Nombre de broches
3
Chute minimale de tension directe
900mV
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Barrière Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1A
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.