Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
Surface
Type de produit
Diode
Type de Boitier
SOT-23
Courant continu direct maximum If
300mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
40V
Configuration de diode
Single
Séries
BAT54
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
3
Tension directe maximale Vf
900mV
Température minimum de fonctionnement
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
1A
Courant inverse crête Ir
1μA
Température d'utilisation maximum
150°C
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
Normes/homologations
No
Hauteur
0.95mm
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3 mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,55
€ 0,086 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 8,55
€ 0,086 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
100
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,086 | € 8,55 |
| 500 - 900 | € 0,081 | € 8,10 |
| 1000 - 2400 | € 0,076 | € 7,64 |
| 2500 - 4900 | € 0,073 | € 7,30 |
| 5000+ | € 0,068 | € 6,84 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
Surface
Type de produit
Diode
Type de Boitier
SOT-23
Courant continu direct maximum If
300mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
40V
Configuration de diode
Single
Séries
BAT54
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
3
Tension directe maximale Vf
900mV
Température minimum de fonctionnement
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
1A
Courant inverse crête Ir
1μA
Température d'utilisation maximum
150°C
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
Normes/homologations
No
Hauteur
0.95mm
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3 mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.


