Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
300mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Barrière Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1A
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
€ 40,53
€ 0,081 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
€ 40,53
€ 0,081 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 500 - 900 | € 0,081 | € 8,11 |
| 1000 - 2400 | € 0,077 | € 7,65 |
| 2500 - 4900 | € 0,073 | € 7,31 |
| 5000+ | € 0,069 | € 6,85 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
300mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Barrière Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1A
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.


