Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
3 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
45 V
Type de boîtier
SOT-32
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Gain en courant DC minimum
100, 40
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
45 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Détails du produit
Transistors NPN à usage général, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
20
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
20
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
3 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
45 V
Type de boîtier
SOT-32
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Gain en courant DC minimum
100, 40
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
45 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Détails du produit
Transistors NPN à usage général, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.


