Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
3 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
80 V
Type de conditionnement
SOT-32
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Détails du produit
Transistors NPN à usage général, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
20
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
20
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
3 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
80 V
Type de conditionnement
SOT-32
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Détails du produit
Transistors NPN à usage général, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.