Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Type de boîtier
SOT-32
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
2.5 V
Courant de coupure Collecteur maximum
0.2mA
Höhe
10.8mm
Rozměry
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Longueur
7.8mm
Largeur
2.7mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Détails du produit
Transistors Darlington PNP, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
1
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Type de boîtier
SOT-32
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
2.5 V
Courant de coupure Collecteur maximum
0.2mA
Höhe
10.8mm
Rozměry
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Longueur
7.8mm
Largeur
2.7mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Détails du produit
Transistors Darlington PNP, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.


