Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
8 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
700 V
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
125 W
Gain en courant DC minimum
10
Configuration du transistor
Single
Tension Emetteur Base maximum
9 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
20.15 x 15.75 x 5.15mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors haute tension, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
€ 54,46
€ 1,815 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 54,46
€ 1,815 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
30
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 1,815 | € 54,46 |
| 60+ | € 1,725 | € 51,76 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
8 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
700 V
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
125 W
Gain en courant DC minimum
10
Configuration du transistor
Single
Tension Emetteur Base maximum
9 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
20.15 x 15.75 x 5.15mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors haute tension, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.


