Transistor bipolaire, NPN, 125 V, TO-3, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Tension Collecteur Emetteur maximum
125 V
Type de boîtier
TO-3
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
300 W
Tension Collecteur Base maximum
200 V
Tension Emetteur Base maximum
7 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+200 °C
Dimensions
8.7 x 39.5 x 26.2mm
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Prix sur demande
1
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