IGBT, GH50H65DRB2-7AG, , 108 A, 650 V, H2PAK-7, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
108 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
650 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Nombre de transistors
1
Dissipation de puissance maximum
385 W
Type de boîtier
H²PAK-7
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
7
Pays d'origine
China
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Prix sur demande
Paquet de production (Bobine)
1
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